RESEARCH PAPER
Plasma deposition and etching of carbon layers for microelectronics
 
More details
Hide details
1
Institute of Microelectronics and Optoelectronics. Warsaw University of Technology, Koszykowa 75,00-662 Warsaw, Poland
Publication date: 2021-04-29
 
Acta Agroph. 2002, (80), 283–288
 
KEYWORDS
ABSTRACT
This work shows results of investigation concerning optimalisation of deposition and etching of carbon layers (NCD – Nano Crystalline Diamond and DLC – Diamond like Carbon). The layers were produced with capacitance coupled a.c. discharges with frequency (RF – radio frequency). During the experiment aiming to MISFET transistor (Metal – Insulator – Semiconductor Field Effect Transistor) with carbon layer, activities were taken to determine properties of plasma and the layers. The layers were etched in reactor and aluminium mask was used. The influence of plasma etching on the layer and mask has been determined.
METADATA IN OTHER LANGUAGES:
Polish
Plazmowe nakładanie i trawienie warstw węglowych dla mikroelektroniki
trawienie plazmowe, cienkie warstwy węglowe, maski aluminiowe
W pracy przedstawiono rezultaty badań dotyczących optymalizacji nakładania i trawienia warstw węglowych (nanokrystaliczny diament (NCD i amorficzny diament DLC). Warstwy wytwarzano metodą plazmy wysokiej częstotliwości (RF) w reaktorze o sprzężeniu pojemnościowym. W trakcie doświadczeń mających na celu wytworzenie tranzystora MISFET z warstwą węglową określono własności plazmy i powstających warstw. Określono wpływ trawienia plazmowego na powstałe warstwy i maski z aluminium.
eISSN:2300-6730
ISSN:1234-4125