NCD layers obtained in RF PE CVD plasma process as an dielectrical chemosensitive material in MIS end ChemFET structures
More details
Hide details
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska, Koszykowa 75, 00-662, Warszawa, Polska
Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka, Stefanowskiego 1, 90-924 Łódź, Polska
Publication date: 2021-09-01
Acta Agroph. 2002, (80), 289–294
The aim of this work was to study the NCO layers as chemosensitive films for liquid organic compounds. Diamond layers were obtained in RF PA CVD (13.56 MHz) plasma deposition process on Si p-type < 111 > substrate. NCO layers act as a dielectric in Al/NCD/Si (MIS) and gate in ChemFET structures. The change of electrical properties of NCO layers caused by acetonitrile and methanol, dielectric organic non water solvent was observed. The layers were characterized by means of C-V and I-V measurements performed by HP 4061 station and KEITHLEY 237 SMU, their surface investigated using AFM, while thickness and refractive index values were obtained ellipsometrically (Gaertner L 1160).
Warstwy NCD otrzymane w procesie plazmowym RF PE CVD jako materiał chemoczuły i dielektryczny w strukturach MIS end ChemFET
warstwy NCD, ChemFET, proces RF PA CVD
Celem pracy było badanie warstw NCD, otrzymywanych w RF PA CVD (13.56 MHz) plazmowym procesie osadzania na Si p-type < 111 >, jako chemoczułych materiałów dla ciekłych związków organicznych. Warstwy NCD działają jako dielektryk w Al/NCD/Si (MIS) i bramka w strukturach ChemFET. Obserwowano zmianę własności elektrycznych warstw NCD powodowanych przez acetonitryl i metanol, dielektryczne niewodne rozpuszczalniki. Warstwy charakteryzowane były przez pomiary C-V i I-V wykonane na stacji HP 4061 i KEITHLEY 237 SMU. powierzchnię badano używając AFM, a grubość i wartości współczynnika refrakcji elipsometrycznie (Gaertner L 1160).