RESEARCH PAPER
Hydrogenated carbon-silicon films fabricated by PACVD from tetramethylsilane in the A.F. three-electrode reactor
 
More details
Hide details
1
Technical University of Łódź, Faculty of Process and Environmental Engineering, Wólczańska 213, 93-005 Łódź, Poland
 
 
Publication date: 2021-04-20
 
 
Acta Agroph. 2002, (80), 239-246
 
KEYWORDS
ABSTRACT
Amorphous hydrogenated carbon-silicon (a-SiXCY:H) films were produced by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) in the audio-frequency (at) three-electrode reactor using tetramethylsilane as a source compound. The negative amplitude of af voltage, V(-), measured on a small electrode, on which the films were deposited, was the only operational parameter of the deposition process. Investigations of electrical conductivity, optical absorption and internal photoemission were carried out for the films deposited at various V(-). It was found that these films are composed of amorphous insulator (a-I) and amorphous semiconductor (a-S) fractions with different electronic structures. A basic band structure model for the a-I and a-S forms was proposed.
METADATA IN OTHER LANGUAGES:
Polish
Warstwy szkliw krzemowęglowych wytwarzane w procesie PACVD z tetrametylosilanu w A.F. reaktorze trójelektrodowym
audio-frequency glow discharge, carbon-silicon films, electronic structure
Amorficzne warstwy szkliw krzemowowęglowych (a-SiXCY:H) otrzymywano w trójelektrodowym reaktorze af plazmy (proces PECVD) używając jako surowca tetrametylosilanu. Badania przewodnictwa elektrycznego, absorpcji światła i wewnętrznej fotoemisji, przeprowadzone przy różnych wartościach V(-) (ujemnej amplitudy napięcia), jedynego parametru umożliwiającego sterowanie procesem, wykazały obecność frakcji typu izolatora i półprzewodnika. Otrzymanie takich materiałów otwiera nowe możliwości przed zastosowaniami cienkich warstw szkliw plazmowych.
eISSN:2300-6730
ISSN:1234-4125
Journals System - logo
Scroll to top